UHV'de Yarı İletken Üretimi Için Titanyum Getter
video
UHV'de Yarı İletken Üretimi Için Titanyum Getter

UHV'de Yarı İletken Üretimi Için Titanyum Getter

Termal Bütçe Uyumluluğu için Düşük Sıcaklıkta Aktivasyon

Sürekli Isıtma Olmadan Oda Sıcaklığında Getterleme

Proses Odaları İçinde Dağıtılmış UHV Bakımı

Soruşturma göndermek
ürün tanıtımı

UHV'de Yarı İletken Üretimi için Titanyum Getter, yarı iletken üretiminde ultra yüksek vakum (UHV) ortamları için tasarlanmış yüksek saflıkta titanyum bazlı bir getter malzemesidir. Ti kütle içeriği %99,95'in üzerinde olan yüksek saflıkta titanyum kullanır ve magnetron püskürtme yoluyla substrat yüzeylerine biriktirilerek 800 ila 1200 nm kalınlığında yoğun bir getter katmanı oluşturur. Getter katmanı, 300 ila 450°C'de 10 ila 30 dakika gibi düşük sıcaklık ve kısa süreli koşullar altında aktive edilebilir. Aktivasyon sonrası, sürekli harici ısıtma veya buharlaşma olmadan oda sıcaklığında etkili getter performansı sunar; bu da onu temizliğe ve termal bütçeye duyarlı yarı iletken proses ortamları için uygun hale getirir.

 

Yarı iletken üretiminde bu ürün esas olarak proses odalarında ve cihazlarda ultra yüksek vakumu korumak için kullanılır. Aktive edilmiş titanyum film, hidrojen için 1 × 10⁻² ila 5 × 10⁻² ve karbon monoksit (CO) için 0,4 ila 0,6 arasında bir yapışma olasılığına sahiptir; bu, artık aktif gazları etkili bir şekilde absorbe etmesini ve vakum cihazlarının çalışma ömrünü ve performans kararlılığını uzatmasını sağlar. Wafer düzeyinde vakumlu paketlemede bu titanyum getter, bağlama prosesleriyle uyumludur ve hem bağlama katmanı hem de getter katmanı olarak işlev görerek MEMS cihazlarının paketleme sonrası uzun vadede kararlı vakum seviyelerini korumasına yardımcı olur. Ayrıca, yarı iletken üretim ekipmanlarındaki UHV oda duvarları veya yerelleştirilmiş getter üniteleri için uygundur; işleme sırasında artık gaz girişimini azaltan yağsız bir UHV bakım çözümü sağlar.

 

Ürün Özellikleri

Malzeme: Yüksek saflıkta titanyum

Saflık (Ti): ≥%99,95

Getter katmanı kalınlığı: 800–1200 nm

Aktivasyon sıcaklığı: 300–450°C

Aktivasyon süresi: 10–30 dakika

Vakum uyumluluğu: Ultra yüksek vakum (UHV)

Absorbe edilen gazlar: Hidrojen, karbon monoksit ve diğer artık gazlar

 

Ürün Özellikleri
Titanium Getter for Semiconductor Manufacturing in UHV 1

 

Termal Bütçe Uyumluluğu için Düşük Sıcaklıkta Aktivasyon
Titanyum getter, 300–450°C'de 10–30 dakikada aktive olur; sıcaklığa duyarlı cihazları uzun süreli yüksek sıcaklık stresine maruz bırakmadan yarı iletken proseslerine entegrasyon sağlar.

Sürekli Isıtma Olmadan Oda Sıcaklığında Getterleme
Aktive edildikten sonra getter, oda sıcaklığında artık gazları absorbe etmeye devam eder; sürekli harici ısıtma ihtiyacını ortadan kaldırarak termal gürültüyü, güç tüketimini ve proses karmaşıklığını azaltır.

Proses Odaları İçinde Dağıtılmış UHV Bakımı
Getter, oda duvarlarına veya yerelleştirilmiş alanlara biriktirilerek dağıtılmış pompalama sağlayabilir; geleneksel pompaların daha az etkili olduğu dar alanlarda ve ölü bölgelerde vakum kararlılığını iyileştirir.

Titanium Getter for Semiconductor Manufacturing in UHV 3

Hidrojen ve Karbon Monoksitin Seçici Absorpsiyonu
Yarı iletken üretiminde yaygın olarak bulunan hidrojen, karbon monoksit ve diğer artık aktif gazları verimli bir şekilde absorbe ederek ince film biriktirme ve cihaz çalışması sırasında gaz girişimini azaltmaya yardımcı olur.

Kontaminasyon Kontrolü için Yağsız Vakum Ortamı
Buharlaşmayan bir titanyum getter olarak, yağ buharı veya partikül kontaminasyonu getirmez; ileri yarı iletken ve mikroelektronik üretimi için gereken temiz ultra yüksek vakum koşullarını destekler.

Wafer Düzeyinde Vakumlu Paketlemede Çift İşlev
Wafer düzeyinde vakumlu paketlemede titanyum film hem bağlama katmanı hem de getter katmanı olarak hizmet edebilir; MEMS ve diğer vakuma duyarlı cihazların uzun süreler boyunca kararlı iç vakumu korumasına yardımcı olur.

 Ürün Uygulamaları
H927bfd205e4e4c25906cf554a9c8e198V

Yarı İletken Üretimi için UHV Proses Odaları
Getter, prosessin tekrarlanabilirliğini etkileyebilecek artık aktif gazları absorbe ederek biriktirme, aşındırma ve yüzey işleme odalarında kararlı ultra yüksek vakumun korunmasına yardımcı olur.

MEMS ve Sensörler için Wafer Düzeyinde Vakumlu Paketleme
Sızdırmaz wafer düzeyinde paketler içinde uzun vadeli vakum tutulumunu destekler; MEMS cihazlarının ve sensörlerin paketleme sonrası kararlı performansı sürdürmesine yardımcı olur.

İnce Film Biriktirme ve Yüzey İşleme
Püskürtme, buharlaştırma ve ilgili ince film proseslerinde getter, artık gaz girişimini azaltarak daha temiz film büyümesini ve daha tutarlı katman kalitesini destekler.

Cluster Araçları ve Vakum Transfer Modülleri
Transfer odalarına ve yükleme kilitli alanlara entegre edilen getter, wafer taşıma sırasında gaz yeniden adsorpsiyonunu sınırlar ve proses adımları arasında çapraz kontaminasyonu azaltır.

UHV Metroloji ve Yüzey Analiz Sistemleri
Metroloji ve yüzey analiz araçlarının kararlı düşük basınçta kalmasına yardımcı olarak ince filmlerin, arayüzlerin ve cihaz yapılarının güvenilir ölçümünü destekler.

Vakuma Duyarlı Mikroelektronik Cihazlar
İç vakum gerektiren mikroelektronik cihazlar için getter, gaz çıkışı yapan türleri yönetmek ve sızdırmazlık sonrası çalışma ömrünü uzatmak için kompakt bir yol sağlar.

 

 

 

 

Contact us
tel.png

Tel: 0917-3873009

phone.png

Phone: +86 18992731201

fax.png

Fax: 0917-3873009

address.png

Address: No. 195, Gaoxin Avenue, High-tech Development Zone, Baoji City, Shaanxi, China

address.png

Whatsapp: +86 18992731201

Popüler Etiketler: UHV'de Yarı İletken Üretimi Için Titanyum Getter,Mikro Gözenekli Filtre Bileşenleri ve Mikro Gözenekli Filtre Elemanları

Bunları da sevebilirsiniz

(0/10)

clearall